碘在玻碳汞膜电极上的伏安行为及应用
来源期刊：理化检验-化学分册2005年第11期
论文作者：宋远志
关键词：碘; 玻碳汞膜电极; 电化学行为;
摘 要：研究了碘化合物在玻碳汞膜电极上的伏安行为, 碘酸根分别于-1 220 mV,-1 162 mV和-1 270 mV(vs.SCE)出现0～二阶伏安峰,并得到了扩散系数D0和电子传递速率常数ks.食品烹调中碘的存在形式受到溶液pH和共存物影响.无抗坏血酸存在且pH≥2.40时,加入的IO-3在食品中转化为I-,当pH<2.40时,则以I2形式存在,当抗坏血酸共存时,则以I-形式存在.
宋远志1
(1.淮阴师范学院,化学系,淮安,223001)
摘要:研究了碘化合物在玻碳汞膜电极上的伏安行为, 碘酸根分别于-1 220 mV,-1 162 mV和-1 270 mV(vs.SCE)出现0～二阶伏安峰,并得到了扩散系数D0和电子传递速率常数ks.食品烹调中碘的存在形式受到溶液pH和共存物影响.无抗坏血酸存在且pH≥2.40时,加入的IO-3在食品中转化为I-,当pH<2.40时,则以I2形式存在,当抗坏血酸共存时,则以I-形式存在.
关键词:碘; 玻碳汞膜电极; 电化学行为;
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