氨化Si基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第2期
论文作者：庄惠照 魏芹芹 曹文田 薛成山 孙振翠
关键词：GaN; Ga2O3/Al2O3膜; 氨化; 磁控溅射;
摘 要：研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.
庄惠照1，魏芹芹1，曹文田1，薛成山1，孙振翠1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.
关键词:GaN; Ga2O3/Al2O3膜; 氨化; 磁控溅射;
【全文内容正在添加中】
