金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系

来源期刊：材料导报2010年第15期

论文作者：王光伟 姚素英 王雅欣 刘颖

文章页码：18 - 21

关键词：电场增强横向诱导结晶;扩散;电迁移;晶粒长大;

摘    要：分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。