掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用
来源期刊：金属功能材料2002年第1期
论文作者：张泽 王岩国
关键词：界面; 电子全息; 势场; 钛酸锶; 金属掺杂;
摘 要：用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布.结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失.表明铌原子占据了界面处氧离子空位,消除了电荷聚集在界面处的分布状态.有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷,达到调制导电陶瓷材料电学性能的目的.
张泽1，王岩国1
(1.中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京2724信箱,邮编100080)
摘要:用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布.结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失.表明铌原子占据了界面处氧离子空位,消除了电荷聚集在界面处的分布状态.有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷,达到调制导电陶瓷材料电学性能的目的.
关键词:界面; 电子全息; 势场; 钛酸锶; 金属掺杂;
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