热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
来源期刊:材料导报2013年第11期
论文作者:李瑞 张析 张丹青 向钢
文章页码:27 - 32
关键词:热蒸发法;第Ⅳ族半导体;Si纳米线;Ge纳米线;SiGe纳米线;
摘 要:系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。
李瑞,张析,张丹青,向钢
四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室
摘 要:系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。
关键词:热蒸发法;第Ⅳ族半导体;Si纳米线;Ge纳米线;SiGe纳米线;