CaCu₃Ti₄O₁₂介电陶瓷击穿场强的研究进展

来源期刊：绝缘材料2020年第10期

论文作者：刘玉倩 吝伶艳 张建花 李卓晓 宋建成 雷志鹏

文章页码：10 - 15

关键词：CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷;制备工艺;掺杂改性;击穿场强;

摘    要：CaCu₃Ti₄O₁₂（CCTO）新型介电陶瓷以其高介电常数和高频率稳定性等优异性能,在高介电材料研究领域和高介电电容器领域成为关注的热点。然而,目前由于其击穿场强较小,限制了其应用范围。本文综述了最近几年国内外CCTO陶瓷击穿场强的研究进展。首先介绍了常用的CCTO陶瓷制备工艺,其次详细归纳了制备工艺和元素掺杂对其击穿场强的影响,最后总结了CCTO陶瓷击穿场强提高的规律与原因,并将其精炼为3种击穿机理。