原位生成SiC-MoSi₂-TiSi₂涂层的工艺条件研究

焦更生^1,2，李贺军²，卢国锋¹

1. 渭南师范学院复合材料工程中心2. 西北工业大学碳/碳复合材料工程技术研究中心

摘 要：用一次包埋法制备了C/C复合材料SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷内涂层,对制备涂层的影响因素进行了分析。最终确定的制备条件为制备温度2573K,保温时间为2h,MoSi2和TiC的配比为5∶2。结果表明C/C复合材料表面SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷涂层在1500℃有氧环境下氧化49h,失重仅仅2.18%,失重率为1.17×10-4g/（cm2.h）,具有良好的抗氧化性能。

关键词：原位生成;涂层;SiC-MoSi2-TiSi2;