La0.67Ba0.33MnO3中Ag的掺杂效应
来源期刊：功能材料2005年第1期
论文作者：刘宜华 梅良模 原晓波 王成建 黄宝歆
关键词：庞磁电阻效应; 低场磁电阻; 颗粒体系; 两相复合结构; 导电陶瓷;
摘 要：在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.
刘宜华1，梅良模1，原晓波1，王成建1，黄宝歆1
(1.山东大学,物理与微电子学院和晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)
摘要:在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.
关键词:庞磁电阻效应; 低场磁电阻; 颗粒体系; 两相复合结构; 导电陶瓷;
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