碳化硅非线性性质与表面二氧化硅含量关系的研究
来源期刊：绝缘材料2004年第6期
论文作者：于开坤 李鸿岩 宁叔帆 刘斌 陈寿田
关键词：碳化硅; SiC; 体积电阻率; 非线性系数;
摘 要：碳化硅(SiC)的体积电阻率ρv和非线性系数β与SiC粉料表面二氧化硅(SiO2)的含量有直接关系.研究了酸洗和煅烧处理SiC对SiC粉料表面SiO2的含量的影响以及SiO2含量对SiC的体积电阻率和非线性系数的影响.酸洗后SiC粉料表面SiO2的含量下降,ρv和β比未酸洗的SiC粉料均有所降低;煅烧后SiC表面SiO2含量增加,ρv和β增大.因此通过酸洗或煅烧能有效地调整SiC粉料和防晕带的ρv和β,使其达到实际应用的要求.
于开坤1，李鸿岩1，宁叔帆1，刘斌1，陈寿田1
(1.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049)
摘要:碳化硅(SiC)的体积电阻率ρv和非线性系数β与SiC粉料表面二氧化硅(SiO2)的含量有直接关系.研究了酸洗和煅烧处理SiC对SiC粉料表面SiO2的含量的影响以及SiO2含量对SiC的体积电阻率和非线性系数的影响.酸洗后SiC粉料表面SiO2的含量下降,ρv和β比未酸洗的SiC粉料均有所降低;煅烧后SiC表面SiO2含量增加,ρv和β增大.因此通过酸洗或煅烧能有效地调整SiC粉料和防晕带的ρv和β,使其达到实际应用的要求.
关键词:碳化硅; SiC; 体积电阻率; 非线性系数;
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