PIN-PT晶体铁电性和压电性的温度稳定性研究
来源期刊：无机材料学报2003年第5期
论文作者：殷之文 罗豪甦 潘晓明 徐海清 郭益平
关键词：PIN-PT单晶; 压电; 介电; 温度稳定性;
摘 要：测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ～1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN-PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.
殷之文1，罗豪甦1，潘晓明1，徐海清1，郭益平1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,201800)
摘要:测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ～1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN-PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.
关键词:PIN-PT单晶; 压电; 介电; 温度稳定性;
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