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退火温度对Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜结构及其性能的影响

来源期刊:功能材料2009年第12期

论文作者:秦岩 黄志雄 毛薇 郭冬云 付承菊

关键词:退火温度; Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜; sol-gel法; 铁电性能; 阻尼性能; annealing temperature; Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3 thin films; sol-gel method; ferroelectric property; damping property;

摘    要:采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和微观形貌进行了表征,通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.然后将该薄膜与环氧树脂形成复合结构材料.对其铁电性能以及复合材料的阻尼性能进行了测试,结果表明,退火温度的升高有利于改善薄膜的铁电性能,在750℃下退火的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜,其剩余极化值2Pr达到了68.6μC/cm~2, 矫顽场强2E_c达到158.7kV/cm;同时退火温度的升高还有利于薄膜致密度的提高,对复合材料的阻尼性能也有一定的改善,当退火温度达到800℃,复合材料的阻尼损耗因子达到最大值,阻尼温域最宽,阻尼性能最好.

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退火温度对Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜结构及其性能的影响

秦岩1,黄志雄1,毛薇1,郭冬云1,付承菊1

(1.武汉理工大学,材料科学与工程学院,湖北,武汉,430070)

摘要:采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和微观形貌进行了表征,通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.然后将该薄膜与环氧树脂形成复合结构材料.对其铁电性能以及复合材料的阻尼性能进行了测试,结果表明,退火温度的升高有利于改善薄膜的铁电性能,在750℃下退火的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜,其剩余极化值2Pr达到了68.6μC/cm~2, 矫顽场强2E_c达到158.7kV/cm;同时退火温度的升高还有利于薄膜致密度的提高,对复合材料的阻尼性能也有一定的改善,当退火温度达到800℃,复合材料的阻尼损耗因子达到最大值,阻尼温域最宽,阻尼性能最好.

关键词:退火温度; Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜; sol-gel法; 铁电性能; 阻尼性能; annealing temperature; Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3 thin films; sol-gel method; ferroelectric property; damping property;

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