烧结温度对Si3N4显微结构及性能的影响
来源期刊：宇航材料工艺2009年第5期
论文作者：严友兰 王红洁 余娟丽 乔冠军 张健
关键词：凝胶注模; 微多孔氮化硅陶瓷; 烧结温度; 强度; 气孔率;
摘 要：基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降.
严友兰1，王红洁1，余娟丽1，乔冠军1，张健2
(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049;
2.航天材料及工艺研究所先进功能复合材料技术国防科技重点实验室,北京,100076)
摘要:基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降.
关键词:凝胶注模; 微多孔氮化硅陶瓷; 烧结温度; 强度; 气孔率;
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