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KF-KCl熔体中电沉积TiB2镀层

来源期刊:稀有金属材料与工程2006年第4期

论文作者:李军 李冰 江卢山 董政娥 叶以富

关键词:电沉积; 二硼化钛; 镀层; 熔体; electrodeposition; titanium diboride; coatings; molten salt;

摘    要:在铝工业中TiB2是一种非常有前途的阴极内衬取代材料.本研究首先通过热力学分析验证了在Ti-B-C体系生成TiB2的可能性,然后在K2TiF6和KBF4作为活性物质的KF-KCl熔体中以石墨为基体通过直流电沉积(CCP)和周期断开电流电沉积(PIC)技术制备了TiB2镀层,并且研究了电流密度和电镀技术对镀层表面平整度、致密度和晶粒尺寸的影响.结果表明,当电流密度为0.8 A/cm2时,能够得到厚度均匀且和基体具有良好附着的TiB2镀层;和CCP相比,采用PIC技术制备的TiB2镀层表面平整度和致密度都得到明显改善,并且晶粒也更为细小.XRD分析表明镀层由相对纯净的TiB2组成,并且镀层择优取向均为(001)面,这和二维晶核理论的预测相吻合.

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KF-KCl熔体中电沉积TiB2镀层

李军1,李冰1,江卢山1,董政娥2,叶以富1

(1.华东理工大学,上海,200237;
2.西安工程科技学院,陕西,西安,710048)

摘要:在铝工业中TiB2是一种非常有前途的阴极内衬取代材料.本研究首先通过热力学分析验证了在Ti-B-C体系生成TiB2的可能性,然后在K2TiF6和KBF4作为活性物质的KF-KCl熔体中以石墨为基体通过直流电沉积(CCP)和周期断开电流电沉积(PIC)技术制备了TiB2镀层,并且研究了电流密度和电镀技术对镀层表面平整度、致密度和晶粒尺寸的影响.结果表明,当电流密度为0.8 A/cm2时,能够得到厚度均匀且和基体具有良好附着的TiB2镀层;和CCP相比,采用PIC技术制备的TiB2镀层表面平整度和致密度都得到明显改善,并且晶粒也更为细小.XRD分析表明镀层由相对纯净的TiB2组成,并且镀层择优取向均为(001)面,这和二维晶核理论的预测相吻合.

关键词:电沉积; 二硼化钛; 镀层; 熔体; electrodeposition; titanium diboride; coatings; molten salt;

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