高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析
来源期刊：功能材料2007年第9期
论文作者：许积文 王华 杨玲 任明放
关键词：ZAO靶材; 纳米粉体; 致密度; 电阻率; 黑点;
摘 要：以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO:Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω·cm数量级.高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少.低电阻率在于Al3+对Zn2+替代产生的自由电子.同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关.
许积文1，王华1，杨玲1，任明放1
(1.桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004)
摘要:以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO:Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω·cm数量级.高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少.低电阻率在于Al3+对Zn2+替代产生的自由电子.同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关.
关键词:ZAO靶材; 纳米粉体; 致密度; 电阻率; 黑点;
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