光辐射悬浮区熔法Tb₂PdSi₃单晶生长及磁性能

徐义库¹，刘林²，张军²，FRONTZEK Matthias⁴

1. 长安大学材料科学与工程学院2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室4. 德累斯顿工业大学固态物理所

摘 要：采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物（R为稀土元素）不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。

关键词：悬浮区熔;单晶生长;稀土化合物;磁性能;