Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜
来源期刊：理化检验物理分册2005年第9期
论文作者：王书运 庄惠照 高海永
关键词：Ga2O3薄膜; ZnO缓冲层; 氨化; 射频磁控溅射; 扫描电镜; 透射电镜;
摘 要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.
王书运1，庄惠照1，高海永1
(1.山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014)
摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.
关键词:Ga2O3薄膜; ZnO缓冲层; 氨化; 射频磁控溅射; 扫描电镜; 透射电镜;
【全文内容正在添加中】
