Ge/Si量子点生长的研究进展
来源期刊：材料导报2010年第19期
论文作者：鲁植全 王茺 杨宇
文章页码：117 - 122
关键词：Ge/Si量子点生长;图形衬底;表面原子掺杂;超薄Si;O2层;Ge组分;
摘 要：回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
鲁植全，王茺，杨宇
云南大学光电信息材料研究所
摘 要：回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
关键词：Ge/Si量子点生长;图形衬底;表面原子掺杂;超薄Si;O2层;Ge组分;
