硅基三元系PMnN-PZT铁电薄膜制备与研究

来源期刊：功能材料2012年第13期

论文作者：张涛 张淑仪 李敏 周胜男 孙斌

文章页码：1759 - 1761

关键词：多晶铁电薄膜;磁控溅射;铁电性能;压电性能;

摘    要：利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT（6%Pb（Mn1/3,Nb2/3）O3-94%Pb（Zr0.52,Ti0.48）O3）,采用淬火方法对薄膜进行处理,以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时,在相同条件下制备非掺杂PZT（52/48）薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射（XRD）技术分析薄膜晶向及晶体结构,运用Sawyer Tower电路测试薄膜铁电性能,运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明,所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜,薄膜铁电剩余极化Pr=23.7μC/cm2,饱和极化Ps=40μC/cm2,矫顽场电压2Ec=139kV/cm,横向压电系数e11=-13.2C/m2,薄膜的铁电及压电性能优良。