Lu2Si2O7:Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究
来源期刊：无机材料学报2006年第3期
论文作者：陆晟 任国浩 秦来顺 李焕英
关键词：闪烁晶体; LPS:Ce晶体; 缺陷; 包裹物;
摘 要：用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题:(1)熔体挥发;(2)晶体开裂;(3)层状包裹.生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导;LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响.接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因.层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.
陆晟1，任国浩1，秦来顺1，李焕英1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800)
摘要:用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题:(1)熔体挥发;(2)晶体开裂;(3)层状包裹.生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导;LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响.接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因.层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.
关键词:闪烁晶体; LPS:Ce晶体; 缺陷; 包裹物;
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