用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第12期
论文作者：王占国 朱贤方 孟焘
关键词：GaN基量子点; 自组装; S-K模式; MOCVD;
摘 要：GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析.希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.
王占国1，朱贤方2，孟焘2
(1.中科院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;
2.厦门大学,福建,厦门,361005)
摘要:GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析.希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.
关键词:GaN基量子点; 自组装; S-K模式; MOCVD;
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