先栅和替代栅方案中的高k/金属栅堆叠

来源期刊：功能材料与器件学报2013年第3期

论文作者：Sree Kesapragada Rongjun Wang Dave Liu Gaojun Liu Zhigang Xie Zhenbin Ge Haichun Yang Yu Lei Xinliang Lu Xianmin Tang Jianxin Lei Millen Allen Srinivas Gandikota Kevin Moraes Steven Hung Naomi Yoshida Chorng-Ping Chang

文章页码：128 - 130

摘    要：以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用于Vt调整覆盖层)能分别调整PMOS和NMOS的有效功函数。改变TiN中Ti:N化学组分比能引起TiN功函数改变>250mV。在替代栅方案中筛选不同的功函数材料能获得NMOS和PMOS之间1V间隔。在铝生长过程中衬底的修正是在窄栅沟槽中获得无空洞铝间隙填充的关键。