简介概要

毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期

论文作者：白锡巍王云生赵静张绵

关键词：砷化镓; 模拟开关; 集成电路; 相关器;

摘要：介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.

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白锡巍¹，王云生¹，赵静¹，张绵¹

(1.信息产业部电子13所,石家庄050051)

摘要:介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.

关键词:砷化镓; 模拟开关; 集成电路; 相关器;

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