射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性
来源期刊：功能材料2006年第11期
论文作者：杨琳琳 王启明 郭亨群
关键词：Al-Si-SiO2薄膜; 磁控溅射; 光致发光;
摘 要：采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.
杨琳琳1，王启明2，郭亨群1
(1.华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;
2.中国科学院半导体研究所,北京,100083)
摘要:采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.
关键词:Al-Si-SiO2薄膜; 磁控溅射; 光致发光;
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