硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究
来源期刊：功能材料2002年第2期
论文作者：汤乃云 董业民 诸葛兰剑 吴雪梅 宁兆元 姚伟国 叶春暖 俞跃辉
关键词：薄膜; 结构; 光吸收;
摘 要：采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.
汤乃云1，董业民2，诸葛兰剑1，吴雪梅1，宁兆元1，姚伟国1，叶春暖1，俞跃辉2
(1.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006;
2.中国科学院上海冶金所离子束开放实验室,上海,200050)
摘要:采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.
关键词:薄膜; 结构; 光吸收;
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