高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第11期
论文作者：许冰 沈雅明 刘璐 冯丽萍 刘正堂
关键词：高K栅介质; HfSi_xO_y薄膜; 射频磁控反应溅射; 沉积速率; high K gate dielectric; HfSi_xO_y thin film; RF magnetron reactive sputtering; deposition rate;
摘 要：采用射频磁控溅射法制备HfSi_xO_y薄膜,系统研究工艺参数对HfSi_xO_y薄膜沉积速率的影响规律.对沉积态和退火HfO_2和HfSi_xO_y薄膜的结构进行了对比分析.结果表明:HfSi_xO_y薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小.衬底未加热时,制备的HfSi_xO_y和HfO_2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO_2薄膜呈多晶态,而HfSi_xO_y薄膜呈非晶态.HfSi_xO_y薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO_2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSi_xO_y薄膜具有较高的热稳定性.
许冰1，沈雅明1，刘璐1，冯丽萍1，刘正堂1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:采用射频磁控溅射法制备HfSi_xO_y薄膜,系统研究工艺参数对HfSi_xO_y薄膜沉积速率的影响规律.对沉积态和退火HfO_2和HfSi_xO_y薄膜的结构进行了对比分析.结果表明:HfSi_xO_y薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小.衬底未加热时,制备的HfSi_xO_y和HfO_2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO_2薄膜呈多晶态,而HfSi_xO_y薄膜呈非晶态.HfSi_xO_y薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO_2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSi_xO_y薄膜具有较高的热稳定性.
关键词:高K栅介质; HfSi_xO_y薄膜; 射频磁控反应溅射; 沉积速率; high K gate dielectric; HfSi_xO_y thin film; RF magnetron reactive sputtering; deposition rate;
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