MBO缓蚀膜中Cu的价态及成膜机制
来源期刊：腐蚀科学与防护技术2001年第1期
论文作者：曹楚南 林海潮 严川伟
关键词：Cu; 腐蚀; MBO; 缓蚀;
摘 要：用光电子能谱(XPS)、红外光谱(IR)和扫描隧道显微镜(STM),对Cu在含NaCl的2-琉基苯并噁唑(MBO)溶液中处理后，其表面所形成的缓蚀膜进行了研究.缓蚀膜的Cu2p3/2结合能值为932.3 eV，在Cu2p3/2和Cu2p1/2之间没有“卫星峰”存在，且俄歇峰CuLMM的结合能为337.6 eV，表现了典型的一价Cu化合物的特征.该缓蚀膜的红外光谱与的一价Cu的合成化合物的红外谱图相一致.在形成缓蚀膜前后，N1s和S2p的结合能变化显著，表明MBO分子可能通过和N原于与一价铜离子键合的.原位的STM表明，Cl的存在可使MBO在Cu表面形成致密的三维膜.对MBO缓蚀膜的形成机理进行了分析，解释了在MBO缓蚀膜形成过程中Cu腐蚀电位的变化.
曹楚南1，林海潮1，严川伟1
(1.State Key Lab.)
摘要:用光电子能谱(XPS)、红外光谱(IR)和扫描隧道显微镜(STM),对Cu在含NaCl的2-琉基苯并噁唑(MBO)溶液中处理后，其表面所形成的缓蚀膜进行了研究.缓蚀膜的Cu2p3/2结合能值为932.3 eV，在Cu2p3/2和Cu2p1/2之间没有“卫星峰”存在，且俄歇峰CuLMM的结合能为337.6 eV，表现了典型的一价Cu化合物的特征.该缓蚀膜的红外光谱与的一价Cu的合成化合物的红外谱图相一致.在形成缓蚀膜前后，N1s和S2p的结合能变化显著，表明MBO分子可能通过和N原于与一价铜离子键合的.原位的STM表明，Cl的存在可使MBO在Cu表面形成致密的三维膜.对MBO缓蚀膜的形成机理进行了分析，解释了在MBO缓蚀膜形成过程中Cu腐蚀电位的变化.
关键词:Cu; 腐蚀; MBO; 缓蚀;
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