Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究
来源期刊：功能材料2010年第2期
论文作者：孙震 谢晗科 张静全 冯良桓 武莉莉 黎兵 狄霞 李卫 雷智
关键词：Cd_(1-x)Zn_xS; 多晶薄膜; 共蒸发; 光学能隙; 电导激活能; Cd_(1-x)Zn_xS; polycrystalline thin films; co-evaporation; optical energy gap; conductivity activation energy;
摘 要：采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
孙震1，谢晗科1，张静全1，冯良桓1，武莉莉1，黎兵1，狄霞1，李卫1，雷智1
(1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064)
摘要:采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
关键词:Cd_(1-x)Zn_xS; 多晶薄膜; 共蒸发; 光学能隙; 电导激活能; Cd_(1-x)Zn_xS; polycrystalline thin films; co-evaporation; optical energy gap; conductivity activation energy;
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