含氢硅油制备SiC晶须的研究

王瑶^1,2，陈旸^1,2，乔宁^1,2，李欣³，张文婷^1,2

1. 华北理工大学材料科学与工程学院2. 河北省无机非金属材料重点实验室3. 华北理工大学建筑工程学院

摘 要：以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须。主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程。影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高。石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象。SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS（气-液-固）生长机理。

关键词：SiC晶须;热处理温度;基体表面状态;生长机理;