电荷掺杂诱导单层六方氮化硼片ZO模软化
来源期刊:江西理工大学学报2014年第3期
论文作者:杨巍 侯春菊 张旭
文章页码:95 - 100
关键词:ZO模软化;电荷掺杂;单层六方氮化硼片;第一性原理计算;
摘 要:基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论,研究了电荷掺杂对单层六方氮化硼片(h-BN)红外活性的影响.研究发现h-BN片中具有红外活性的ZO模对电荷掺杂表现出强烈的软化行为,这不同于掺杂的石墨烯.而且ZO模对电子掺杂较空穴掺杂更敏感,且在K点较M点或Γ点软化得更强烈,频移高达193 cm-1.从原子振动图和ZO模能量差可以清楚地看到红外活性增强主要由ZO(K)模贡献,电荷掺杂引起的电子重新排布是红外活性增强的原因,这对设计具有强红外活性的电子器件具有很好的理论指导作用.
杨巍1,侯春菊1,张旭2
1. 江西理工大学理学院2. 江西理工大学材料科学与工程学院
摘 要:基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论,研究了电荷掺杂对单层六方氮化硼片(h-BN)红外活性的影响.研究发现h-BN片中具有红外活性的ZO模对电荷掺杂表现出强烈的软化行为,这不同于掺杂的石墨烯.而且ZO模对电子掺杂较空穴掺杂更敏感,且在K点较M点或Γ点软化得更强烈,频移高达193 cm-1.从原子振动图和ZO模能量差可以清楚地看到红外活性增强主要由ZO(K)模贡献,电荷掺杂引起的电子重新排布是红外活性增强的原因,这对设计具有强红外活性的电子器件具有很好的理论指导作用.
关键词:ZO模软化;电荷掺杂;单层六方氮化硼片;第一性原理计算;