砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：毛昆纯 林金庭 杨乃彬 陈效建
关键词：砷化镓; 微波单片集成电路; CAD模型; CAD设计优化;
摘 要：着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.
毛昆纯1，林金庭1，杨乃彬1，陈效建1
(1.南京电子器件研究所,南京210016)
摘要:着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.
关键词:砷化镓; 微波单片集成电路; CAD模型; CAD设计优化;
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