单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟

来源期刊：兵器材料科学与工程2012年第6期

论文作者：胡晓燕 徐建刚 闫新兴

文章页码：52 - 55

关键词：分子动力学模拟;纳米孔洞生长;单晶铝;

摘    要：用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞（约1.6 nm）的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的影响,对具有相同初始孔洞体积分数的两个晶向进行拉伸加载,并对不同温度影响进行研究。结果表明:A晶向（x-[100],y-[010],z-[001]）的形变机制主要是{111}晶面部分位错引起的堆垛层错,B晶向（x-[-110],y-[111],z-[11-2]）主要是位错的移动与堆积;B晶向比A晶向的位错成核应力大;B晶向屈服应力比A晶向对温度敏感。