化学气相沉积方法制备定向W涂层研究
来源期刊：硬质合金2010年第1期
论文作者：李争显 陈绍楷 杜继红 高广睿
关键词：化学气相沉积; 钨涂层; 择优取向;
摘 要：采用化学气相沉积方法在钼基体上制备了具有[110]择优取向的W涂层,采用SEM、XBD、EBSD方法分析了涂层性能,研究表明涂层致密,法向偏离[110]晶向8°范围的晶粒占涂层面积的比例为85.32%,10°范围内[110]晶粒占全部面积的96.86%,[110]择优取向的生成受气体流量H3/CI2,反应室压强及沉积温度的影响;对截面织构研究表明涂层形成机制为竞争生长机制.在室温～1 400℃～室温20次热循环后涂层界面存在互扩散形成的孔洞,但是涂层结合良好.
李争显1，陈绍楷1，杜继红1，高广睿1
(1.西北有色金属研究院,陕西西安,710016)
摘要:采用化学气相沉积方法在钼基体上制备了具有[110]择优取向的W涂层,采用SEM、XBD、EBSD方法分析了涂层性能,研究表明涂层致密,法向偏离[110]晶向8°范围的晶粒占涂层面积的比例为85.32%,10°范围内[110]晶粒占全部面积的96.86%,[110]择优取向的生成受气体流量H3/CI2,反应室压强及沉积温度的影响;对截面织构研究表明涂层形成机制为竞争生长机制.在室温～1 400℃～室温20次热循环后涂层界面存在互扩散形成的孔洞,但是涂层结合良好.
关键词:化学气相沉积; 钨涂层; 择优取向;
【全文内容正在添加中】
