SiC功率器件与电路中的栅介质技术

杨银堂¹，柴常春¹，李跃进¹，贾护军¹

(1.西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071)

摘要:目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.

关键词:碳化硅; 功率器件; 界面态; 复合栅介质;

【全文内容正在添加中】