简介概要

ZnO薄膜V族掺杂的研究进展

来源期刊：材料导报2006年第1期

论文作者：王万录马勇朱仁江廖克俊孔春阳

关键词：氧化锌; p型掺杂; 共掺杂; V族元素;

摘要：ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.

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王万录¹，马勇²，朱仁江²，廖克俊¹，孔春阳²

(1.重庆大学数理学院,重庆,400044;
2.重庆师范大学光学工程实验室,重庆,400047)

摘要:ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.

关键词:氧化锌; p型掺杂; 共掺杂; V族元素;

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