采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO_2f/SiO₂复合陶瓷与C/C复合材料

来源期刊：材料工程2014年第10期

论文作者：吴世彪 熊华平 陈波 程耀永

文章页码：16 - 20

关键词：SiO2f/SiO2复合陶瓷;C/C复合材料;Ag-Cu-Ti;界面反应层;抗剪强度;

摘    要：分别在880℃/10min和880℃/60min规范下,采用Ag-Cu-Ti活性钎料实现了SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料的真空钎焊连接,通过电子探针（EPMA）、能谱仪（XEDS）和X射线衍射仪（XRD）分析了接头微观组织,室温下测试了接头的抗剪强度。结果表明:两种规范下所得接头界面结合良好,接头中靠近两侧母材均形成了一层扩散反应层,钎缝基体主要由均匀的共晶组织组成。880℃/10min规范下钎焊接头界面产物依次为:SiO2f/SiO2→Ti4O7→Ti5Si4+Cu（s,s）+Ag-Cu共晶合金→TiC→C/C;对于880℃/60min规范下的接头,界面组织结构与保温10min的接头基本类似,但是不存在Cu（s,s）,并且接头反应层明显增厚。880℃/60min条件下所得钎焊接头剪切强度平均值为16.6MPa。