RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：海潮和 靳伟
关键词：RF; SOI; 浮体; 放大器;
摘 要：从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.
海潮和1，靳伟2
(1.中国科学院微电子中心;
2.香港科技大学)
摘要:从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.
关键词:RF; SOI; 浮体; 放大器;
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