高效多晶硅中Σ3晶界复合活性的研究
来源期刊：矿冶2019年第2期
论文作者：沈宏远 吕天龙 魏奎先 马文会
文章页码：56 - 60
关键词：高效多晶硅;晶界;复合活性;
摘 要：多晶硅作为一种基础的光伏材料,近年来受到诸多关注。多晶硅中存在着许多缺陷如位错、晶界等,不利于多晶硅太阳能电池的转换效率。而且并非所有多晶硅中的晶界都形成深的复合中心,阻碍载流子的扩散。采用电子束诱生电流（Electron Beam-Induced Current,EBIC）技术和电子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction,EBSD）技术对商业化生产的原生高效多晶硅中的特殊晶界（CSL晶界）进行研究,探究它们的复合活性。结果表明,孪晶上的Σ3 （-1-11）晶界几乎没有复合活性,EBIC衬度在300K下为1.32%;而普通晶粒上的Σ3 （1-1-1）晶界表现出了复合特性,300K下的EBIC衬度为39.62%,并且随着温度的降低,出现了缓慢的下降,说明Σ3 （1-1-1）晶界处形成了深能级复合中心。
沈宏远，吕天龙，魏奎先，马文会
昆明理工大学真空冶金国家工程实验室
摘 要：多晶硅作为一种基础的光伏材料,近年来受到诸多关注。多晶硅中存在着许多缺陷如位错、晶界等,不利于多晶硅太阳能电池的转换效率。而且并非所有多晶硅中的晶界都形成深的复合中心,阻碍载流子的扩散。采用电子束诱生电流（Electron Beam-Induced Current,EBIC）技术和电子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction,EBSD）技术对商业化生产的原生高效多晶硅中的特殊晶界（CSL晶界）进行研究,探究它们的复合活性。结果表明,孪晶上的Σ3 （-1-11）晶界几乎没有复合活性,EBIC衬度在300K下为1.32%;而普通晶粒上的Σ3 （1-1-1）晶界表现出了复合特性,300K下的EBIC衬度为39.62%,并且随着温度的降低,出现了缓慢的下降,说明Σ3 （1-1-1）晶界处形成了深能级复合中心。
关键词：高效多晶硅;晶界;复合活性;
