p-GaN表面制备低阻欧姆接触电极的几个关键问题
来源期刊：功能材料2008年第1期
论文作者：石瑛 李鸿渐 蒋昌忠
关键词：p-GaN; 欧姆接触; 表面处理; 退火; 电阻率;
摘 要：优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路.
石瑛1，李鸿渐1，蒋昌忠1
(1.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072)
摘要:优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路.
关键词:p-GaN; 欧姆接触; 表面处理; 退火; 电阻率;
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