集成电路用钨溅射靶材制备技术的研究进展

来源期刊：中国钨业2020年第1期

论文作者：刘文迪

文章页码：36 - 41

关键词：集成电路;钨溅射靶材;热等静压;热轧;研究进展;

摘    要：钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更高的要求,钨靶材制备工艺的优化已成为国内外研究的热点。集成电路对钨靶材的性能指标,如纯度、致密度、晶粒尺寸及均匀性、织构等,均具有严格的要求;这些指标亦是评价钨靶材优劣的重要依据。本文主要归纳了钨靶材主要的制备手段(以热等静压和热轧为主的各种热机械工艺的组合),并分析了各工艺路径的特点,最后预测了钨靶材制备技术的发展趋势,认为进一步控制钨靶材制备过程中的晶粒尺寸和降低钨薄膜的电阻率将成为未来重要的研究内容。