TiC对CuW触头材料组织与性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第5期
论文作者：梁淑华 杨晓红 范志康 肖鹏
关键词：铜钨合金; TiC; 组织; 性能; 真空电击穿;
摘 要：采用粉末冶金-熔渗法制备了不同TiC添加量的CuW合金.研究了添加TiC对CuW材料静态性能、真空电击穿性能及显微组织的影响.结果表明:TiC的添加量在0～1.2%(质量分数,下同)时,随着添加量的增加,合金的硬度逐渐升高,而电导率变化不大;当添加量在1.2%～2.0%范围内时,硬度和电导率则大幅下降.添加TiC相提高了CuW材料的耐电压强度,降低了截流值.对真空电击穿后的表面组织形貌分析发现,由于TiC相在钨骨架上的钉扎作用,铜液的飞溅较小;电击穿发生在Cu/TiC相界面上,且击穿坑较小.
梁淑华1，杨晓红1，范志康1，肖鹏1
(1.西安理工大学,陕西,西安,710048)
摘要:采用粉末冶金-熔渗法制备了不同TiC添加量的CuW合金.研究了添加TiC对CuW材料静态性能、真空电击穿性能及显微组织的影响.结果表明:TiC的添加量在0～1.2%(质量分数,下同)时,随着添加量的增加,合金的硬度逐渐升高,而电导率变化不大;当添加量在1.2%～2.0%范围内时,硬度和电导率则大幅下降.添加TiC相提高了CuW材料的耐电压强度,降低了截流值.对真空电击穿后的表面组织形貌分析发现,由于TiC相在钨骨架上的钉扎作用,铜液的飞溅较小;电击穿发生在Cu/TiC相界面上,且击穿坑较小.
关键词:铜钨合金; TiC; 组织; 性能; 真空电击穿;
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