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水热法制备防辐射外墙用SiC/r-GO复合材料结构及电磁特性

来源期刊:粉末冶金工业2021年第2期

论文作者:王宏 孙成

文章页码:92 - 96

关键词:SiC棒;还原氧化石墨烯;异质结构;电磁特性;

摘    要:选择水热工艺制备了以还原石墨烯对包裹碳化硅棒的三维网状结构(SiC/r-GO),采用这种特定结构可以获得更优的微波吸收效果。实验结果表明:受到羟基、羧基等含氧基团的作用后,石墨片层形成了更大的间距。SiC/r-GO表面形成了许多褶皱形态的r-GO,表现出三维交织的特征。SiC棒形成了均匀结构,相互间呈现交织分布,在表面形成包裹石墨层。当温度升高到350℃以上时,曲线快速降低,此时复合材料内的r-GO发生了分解。当填充比例增大后,形成了更大复介电常数实部,获得更强的极化作用。2~18GHz频率区间的复介电常数实部与虚部都随频率的提高而降低。采用水热工艺处理会导致r-GO纳米薄片表面形成残余官能团并产生许多缺陷,受到交变电磁场影响后出现空间电荷极化,从而导致介电损耗。

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水热法制备防辐射外墙用SiC/r-GO复合材料结构及电磁特性

王宏1,孙成2

1. 大同煤炭职业技术学院机电工程系2. 北京环境特种研究所

摘 要:选择水热工艺制备了以还原石墨烯对包裹碳化硅棒的三维网状结构(SiC/r-GO),采用这种特定结构可以获得更优的微波吸收效果。实验结果表明:受到羟基、羧基等含氧基团的作用后,石墨片层形成了更大的间距。SiC/r-GO表面形成了许多褶皱形态的r-GO,表现出三维交织的特征。SiC棒形成了均匀结构,相互间呈现交织分布,在表面形成包裹石墨层。当温度升高到350℃以上时,曲线快速降低,此时复合材料内的r-GO发生了分解。当填充比例增大后,形成了更大复介电常数实部,获得更强的极化作用。2~18GHz频率区间的复介电常数实部与虚部都随频率的提高而降低。采用水热工艺处理会导致r-GO纳米薄片表面形成残余官能团并产生许多缺陷,受到交变电磁场影响后出现空间电荷极化,从而导致介电损耗。

关键词:SiC棒;还原氧化石墨烯;异质结构;电磁特性;

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