CCP/ICP混合放电C₄F₈/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响

吴明智^1,2，金成刚^1,2，王飞^1,2，黄天源^1,2，吴雪梅^1,2，诸葛兰剑^1,3

1. 苏州大学物理科学与技术学院2. 江苏省薄膜材料重点实验室3. 苏州大学分析测试中心

摘 要：室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构;但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小。

关键词：AZO;CCP/ICP;绒面结构;发射光谱;