直流溅射法制备SnO2纳米薄膜及其表征
来源期刊：理化检验物理分册2017年第12期
论文作者：刘敬茹 张蓓
文章页码：871 - 1751
关键词：直流溅射;SnO2;纳米薄膜;衬底;物相结构;膜厚公式;
摘 要：采用直流溅射法,以纯锡为靶材制备出了SnO2纳米薄膜,并利用X射线衍射仪、透射电镜及台阶仪对纳米薄膜的物相结构及厚度进行了分析测试。结果表明:采用单晶硅作为衬底时可以制备出晶态的SnO2纳米薄膜,该纳米薄膜由粒径几纳米到十几纳米的SnO2小颗粒组成,而采用载玻片作为衬底时则制备出了非晶态的SnO2纳米薄膜;通过控制溅射时间,可以得到一系列不同厚度的SnO2纳米薄膜,直流溅射法制备SnO2纳米薄膜的膜厚公式为d=0.29UIt（其中d为薄膜厚度,,1=0.1 nm;U为溅射电压,V;I为溅射电流,A;t为溅射时间,s）。
刘敬茹1，张蓓2
1. 北京科技大学新金属材料国家实验室2. 北京科技大学自然科学基础实验中心
摘 要：采用直流溅射法,以纯锡为靶材制备出了SnO2纳米薄膜,并利用X射线衍射仪、透射电镜及台阶仪对纳米薄膜的物相结构及厚度进行了分析测试。结果表明:采用单晶硅作为衬底时可以制备出晶态的SnO2纳米薄膜,该纳米薄膜由粒径几纳米到十几纳米的SnO2小颗粒组成,而采用载玻片作为衬底时则制备出了非晶态的SnO2纳米薄膜;通过控制溅射时间,可以得到一系列不同厚度的SnO2纳米薄膜,直流溅射法制备SnO2纳米薄膜的膜厚公式为d=0.29UIt（其中d为薄膜厚度,,1=0.1 nm;U为溅射电压,V;I为溅射电流,A;t为溅射时间,s）。
关键词：直流溅射;SnO2;纳米薄膜;衬底;物相结构;膜厚公式;
