AlN薄膜的研究进展
来源期刊：材料导报2010年第S1期
论文作者：祝斌 宋仁国
文章页码：307 - 642
关键词：AlN薄膜;制备方法;应用;
摘 要：AlN是一种性能优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在电、光和机械领域展现了极大的应用前景。结合国内外研究的热点问题和各科研团体最新的研究成果,从AlN的性质、AlN薄膜的制备方法、国内外AlN薄膜的最新研究进展及AlN薄膜的应用等4个方向进行了详细阐述。
祝斌，宋仁国
浙江工业大学机械制造与自动化教育部重点实验室
摘 要：AlN是一种性能优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在电、光和机械领域展现了极大的应用前景。结合国内外研究的热点问题和各科研团体最新的研究成果,从AlN的性质、AlN薄膜的制备方法、国内外AlN薄膜的最新研究进展及AlN薄膜的应用等4个方向进行了详细阐述。
关键词：AlN薄膜;制备方法;应用;
