光导型GaN/Si探测器的研制
来源期刊:功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者:席冬娟 江若琏 赵作明 沈波 陈鹏 郑有炓 张荣
关键词:Si基GaN; 探测器; 响应度;
摘 要:采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.
席冬娟1,江若琏1,赵作明1,沈波1,陈鹏1,郑有炓1,张荣1
(1.南京大学物理系,南京210093)
摘要:采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.
关键词:Si基GaN; 探测器; 响应度;
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