钇改性PZT薄膜的极化印刻研究
来源期刊：无机材料学报2001年第5期
论文作者：罗维根 仇萍荪 丁爱丽
关键词：铁电薄膜; Y-PZT薄膜; 印刻(imprinting);
摘 要：铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.
罗维根1，仇萍荪1，丁爱丽1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所)
摘要:铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.
关键词:铁电薄膜; Y-PZT薄膜; 印刻(imprinting);
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