简介概要

多晶碳化硅的氧化技术研究

来源期刊：功能材料2000年第2期

论文作者：杨银堂柴常春朱作云贾护军李跃进

关键词：多晶碳化硅; 热氧化; 温度; 二氧化硅;

摘要：本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

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杨银堂¹，柴常春¹，朱作云¹，贾护军¹，李跃进¹

(1.西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071)

摘要:本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

关键词:多晶碳化硅; 热氧化; 温度; 二氧化硅;

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