磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究
来源期刊：无机材料学报2003年第6期
论文作者：何志 陶艳春 李英爱 赵永年 顾广瑞
关键词：TiO2薄膜; 导电性; 电阻率; 界面电子转移;
摘 要：研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
何志1，陶艳春2，李英爱1，赵永年1，顾广瑞1
(1.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;
2.吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,长春,130023;
3.延边大学理工学院,延吉,133002)
摘要:研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词:TiO2薄膜; 导电性; 电阻率; 界面电子转移;
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