锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第6期
论文作者：赵明海 邹志强 陈礼 王丹 孙静静
关键词：扫描隧道显微镜(STM); Si(100)-2×1重构表面; 纳米线; 棒状物; 三维岛状硅化物; scanning tunneling microscopy(STM); Si(100)-2×1 restructed surface; nanowire; sticklike manganese silicide; 3D silicide island;
摘 要：采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2 ×1重构表面上的外延生长情况.实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代.随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合.
赵明海1，邹志强2，陈礼3，王丹4，孙静静4
(1.上海交通大学物理系,上海,200240;
2.上海交通大学分析测试中心,上海,200240;
3.上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;
4.上海交通大学微纳科学技术研究院,上海,200240)
摘要:采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2 ×1重构表面上的外延生长情况.实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代.随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合.
关键词:扫描隧道显微镜(STM); Si(100)-2×1重构表面; 纳米线; 棒状物; 三维岛状硅化物; scanning tunneling microscopy(STM); Si(100)-2×1 restructed surface; nanowire; sticklike manganese silicide; 3D silicide island;
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