电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第4期
论文作者：孙长征 郝智彪 罗毅 熊兵 王健
关键词：干法刻蚀; 掩膜; ICP; InP; 刻蚀端面;
摘 要：深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
孙长征1，郝智彪1，罗毅1，熊兵1，王健1
(1.集成光电子国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京,100084)
摘要:深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
关键词:干法刻蚀; 掩膜; ICP; InP; 刻蚀端面;
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